三星2nm工艺良品率大增 超40%啦,良品率提升的关键因素

近日三星2nm工艺开发团队取得了令人满意的实验性生产里程碑，开发当中的2nm工艺在良品率方面的表现比之前的3nm工艺要更好，2nm工艺的良品率已经提升到40%以上。按照目前的推进速度，有可能刚好赶上Exynos 2600的量产。

虽然三星在2nm工艺上有了不错的进展，但是这种表现并不足够令人满意。竞争对手台积电（TSMC）在去年12月对2nm工艺的试产当中，良品率就已超过60%，传闻现在已提升至70%至80%，接近于量产的水平。

SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，相比于SF3（3nm），性能提高了12%，功率效率提高了25%，芯片面积减少了5%。三星还打算在2nm制程节点上引入“BSPDN（背面供电网络）”技术，将电源轨置于晶圆的背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈，解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，进一步提升性能和能效，并缩小芯片面积。